产品概览
- 产品型号
- IRFBE20S
- 现有数量
- 580
- 制造商
- Vishay Siliconix
- 产品类别
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单
- 产品描述
- MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
文档与媒体
- 数据列表
- IRFBE20S
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 6.5 欧姆 @ 1.1A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 530pF @ 25V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 38nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- D2PAK
- 功率耗散(最大值) :
- -
- 包装 :
- 管件
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 800V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 1.8A(Tc)
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 停產
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与价格
您可能在找
- IRFB11N50A
- IRFB11N50APBF ¥15.66
- IRFB13N50A
- IRFB13N50APBF ¥27.68
- IRFB16N50K
推荐产品
- IRFB11N50A
- IRFB11N50APBF ¥15.66
- IRFB13N50A
- IRFB13N50APBF ¥27.68
- IRFB16N50K