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PMF3800SN,115

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3.3V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

40pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

0.85nC @ 10V

供应商器件封装 :

SOT-323-3

功率耗散（最大值） :

560mW（Tc）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-70，SOT-323

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

260mA（Ta）

系列 :

TrenchMOS™

零件状态 :

停產

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V