产品概览

产品型号
62-0063PBF
现有数量
580
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC

文档与媒体

数据列表
62-0063PBF

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±12V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
1.9V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
8 毫欧 @ 15A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
2550pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
40nC @ 4.5V
供应商器件封装 :
8-SO
功率耗散(最大值) :
2.5W(Ta)
包装 :
管件
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
15A(Ta)
系列 :
HEXFET®
零件状态 :
停產
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
2.8V,4.5V