产品概览
- 产品型号
- FDP2670
- 现有数量
- 580
- 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单
- 产品描述
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
文档与媒体
- 数据列表
- FDP2670
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 4.5V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 130 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 1320pF @ 100V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 38nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-220-3
- 功率耗散(最大值) :
- 93W(Tc)
- 包装 :
- 管件
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- -65°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 200V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 19A(Ta)
- 系列 :
- PowerTrench®
- 零件状态 :
- 停產
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与价格
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