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SPI10N10

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 21µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

170 毫欧 @ 7.8A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

426pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

19.4nC @ 10V

供应商器件封装 :

PG-TO262-3-1

功率耗散（最大值） :

50W（Tc）

包装 :

管件

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

10.3A（Tc）

系列 :

SIPMOS®

零件状态 :

预定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V