数据列表

2SK1058-E

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

-

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

600pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

TO-3P

功率耗散（最大值） :

100W（Tc）

包装 :

管件

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-3P-3，SC-65-3

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

160V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

7A（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-