数据列表

PH5030AL,115

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.15V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

5 毫欧 @ 15A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1760pF @ 12V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

29nC @ 10V

供应商器件封装 :

LFPAK56，Power-SO8

功率耗散（最大值） :

-

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-100，SOT-669

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

91A（Tc）

系列 :

TrenchMOS™

零件状态 :

停產

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-