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IPB023N04NGATMA1

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 95µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

2.3 毫欧 @ 90A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

10000pF @ 20V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

120nC @ 10V

供应商器件封装 :

D²PAK（TO-263AB）

功率耗散（最大值） :

167W（Tc）

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

90A（Tc）

系列 :

OptiMOS™

零件状态 :

停產

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V