产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- RJK0601DPN-E0#T2
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- -
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 3.1 毫欧 @ 55A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 10000pF @ 10V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 141nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-220AB
- 功率耗散(最大值) :
- 200W(Tc)
- 包装 :
- 管件
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 110A(Ta)
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 停產
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与价格
您可能在找
- RJK005N03FRAT146 ¥0.63
- RJK005N03FRAT146 ¥3.48
- RJK005N03FRAT146
- RJK005N03T146 ¥0.78
- RJK005N03T146 ¥3.63
推荐产品
- RJK005N03FRAT146 ¥0.63
- RJK005N03FRAT146 ¥3.48
- RJK005N03FRAT146
- RJK005N03T146 ¥0.78
- RJK005N03T146 ¥3.63