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IAUS200N08S5N023ATMA1

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3.8V @ 130µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

2.3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

7670pF @ 40V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

110nC @ 10V

供应商器件封装 :

PG-HSOG-8-1

功率耗散（最大值） :

200W（Tc）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerSMD，鸥翼

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

200A（Tc）

系列 :

汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™

零件状态 :

预定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

6V，10V