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2N7000-AP

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

60pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

TO-92

功率耗散（最大值） :

625mW（Ta）

包装 :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

200mA

系列 :

-

零件状态 :

最後搶購

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V