产品概览
- 产品型号
- PHM25NQ10T,518
- 现有数量
- 580
- 制造商
- NXP USA Inc.
- 产品类别
- 晶体管 - FET，MOSFET - 单
- 产品描述
- MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
文档与媒体
- 数据列表
- PHM25NQ10T,518
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs（最大值） :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :
- 4V @ 1mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :
- 30 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :
- 1800pF @ 20V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :
- 26.6nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-HVSON（6x5）
- 功率耗散（最大值） :
- 62.5W（Tc）
- 包装 :
- 带卷（TR）
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-VDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :
- 30.7A（Tc）
- 系列 :
- TrenchMOS™
- 零件状态 :
- 停產
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 10V
