产品概览

产品型号
IPG20N04S408AATMA1
现有数量
1,136
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON

文档与媒体

数据列表
IPG20N04S408AATMA1

产品详情

FET 功能 :
标准
FET 类型 :
2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 30µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
7.6 毫欧 @ 17A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
2940pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
36nC @ 10V
供应商器件封装 :
PG-TDSON-8-10
功率 - 最大值 :
65W
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳 :
8-PowerVDFN
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
漏源电压(Vdss) :
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
20A
系列 :
汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
零件状态 :
在售