数据列表

FF23MR12W1M1B11BOMA1

FET 功能 :

碳化硅 （SiC）

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

5.55V @ 20mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

23 毫欧 @ 50A，15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

3950pF @ 800V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

125nC @ 15V

供应商器件封装 :

模块

功率 - 最大值 :

20mW

包装 :

托盘

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

50A

系列 :

CoolSiC™

零件状态 :

在售