产品概览
- 产品型号
- PHN203,518
- 现有数量
- 580
- 产品描述
- MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
文档与媒体
- 数据列表
- PHN203,518
产品详情
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2V @ 1mA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 30 毫欧 @ 7A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 560pF @ 20V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 14.6nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-SO
- 功率 - 最大值 :
- 2W
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 6.3A
- 系列 :
- TrenchMOS™
- 零件状态 :
- 停產