产品概览
- 产品型号
- PMDPB30XN,115
- 现有数量
- 3,179
- 产品描述
- MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
文档与媒体
- 数据列表
- PMDPB30XN,115
产品详情
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 900mV @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 40 毫欧 @ 3A,4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 660pF @ 10V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 21.7nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- 6-HUSON-EP(2x2)
- 功率 - 最大值 :
- 490mW
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 6-UDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 4A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售