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MCH6663-TL-W

FET 功能 :

逻辑电平栅极，4V 驱动

FET 类型 :

N 和 P 沟道

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.6V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

188 毫欧 @ 900mA，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

88pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

2nC @ 10V

供应商器件封装 :

SC-88FL/MCPH6

功率 - 最大值 :

800mW

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

6-SMD，扁平引线

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

1.8A，1.5A

系列 :

-

零件状态 :

在售