产品概览
- 产品型号
- HS8K11TB
- 现有数量
- 2,443
- 产品描述
- MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
文档与媒体
- 数据列表
- HS8K11TB
产品详情
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 1mA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 17.9 毫欧 @ 7A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 500pF @ 15V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 11.1nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- HSML3030L10
- 功率 - 最大值 :
- 2W
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-UDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 7A,11A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售