产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SI5936DU-T1-GE3
产品详情
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.2V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 30 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 320pF @ 15V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 11nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® ChipFet 双
- 功率 - 最大值 :
- 10.4W
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® CHIPFET™ 双
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 6A
- 系列 :
- TrenchFET®
- 零件状态 :
- 在售
采购与价格
您可能在找
- SI5902BDC-T1-E3 ¥4.41
- SI5902BDC-T1-E3 ¥10.75
- SI5902BDC-T1-E3
- SI5902BDC-T1-GE3 ¥4.41
- SI5902BDC-T1-GE3 ¥10.75
推荐产品
- SI5902BDC-T1-E3 ¥4.41
- SI5902BDC-T1-E3 ¥10.75
- SI5902BDC-T1-E3
- SI5902BDC-T1-GE3 ¥4.41
- SI5902BDC-T1-GE3 ¥10.75