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LN100LA-G

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 N-沟道（级联）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.6V @ 10µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

3000 欧姆 @ 2mA，2.8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

50pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

6-LFGA（3x3）

功率 - 最大值 :

350mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

6-VFLGA

工作温度 :

-25°C ~ 125°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

-

系列 :

-

零件状态 :

停產