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QH8M22TCR

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

N 和 P 沟道

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

193pF, 450pF @ 20V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

2.6nC, 9.5nC @ 10V

供应商器件封装 :

TSMT8

功率 - 最大值 :

1.1W（Ta）

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

4.5A (Ta), 2A (Ta)

系列 :

-

零件状态 :

在售