- FET 功能 :
- 标准
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.2V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 4.5 毫欧 @ 10A,10V,1.84 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 1100pF @ 15V,3150pF @ 15V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 22nC @ 10V,62nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-PowerPair®(6x5)
- 功率 - 最大值 :
- 3.8W(Ta),48W(Tc),4.3W(Ta),74W(Tc)
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-PowerWDFN
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 23A(Ta),75A(Tc),34A(Ta),141A(Tc)
- 系列 :
- TrenchFET® Gen IV
- 零件状态 :
- 在售
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