产品概览

产品型号
SH8K37GZETB
现有数量
580
制造商
Rohm Semiconductor
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品描述
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G

文档与媒体

数据列表
SH8K37GZETB

产品详情

FET 功能 :
标准
FET 类型 :
2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
2.7V @ 100µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
46mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
500pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
9.7nC @ 10V
供应商器件封装 :
8-SOP
功率 - 最大值 :
1.4W (Ta)
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 :
150°C(TJ)
漏源电压(Vdss) :
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
5.5A(Ta)
系列 :
-
零件状态 :
在售

采购与价格

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