产品概览
- 产品型号
- SH8K37GZETB
- 现有数量
- 580
- 产品描述
- 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G
文档与媒体
- 数据列表
- SH8K37GZETB
产品详情
- FET 功能 :
- 标准
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.7V @ 100µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 46mOhm @ 5.5A, 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 500pF @ 30V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 9.7nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOP
- 功率 - 最大值 :
- 1.4W (Ta)
- 包装 :
- Reel®
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 5.5A(Ta)
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
采购与价格
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