产品概览
- 产品型号
- APTM08TDUM04PG
- 现有数量
- 580
- 产品描述
- MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
文档与媒体
- 数据列表
- APTM08TDUM04PG
产品详情
- FET 功能 :
- 标准
- FET 类型 :
- 6 N-沟道(3 相桥)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 1mA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 4.5 毫欧 @ 60A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 4530pF @ 25V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 153nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- SP6-P
- 功率 - 最大值 :
- 138W
- 包装 :
- 散装
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SP6
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 75V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 120A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 停產
采购与价格
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