产品概览
- 产品型号
- ALD1110ESAL
- 现有数量
- 580
- 产品描述
- MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
文档与媒体
- 数据列表
- ALD1110ESAL
产品详情
- FET 功能 :
- 标准
- FET 类型 :
- 2 N 沟道(双)配对
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 1.01V @ 1µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 500 欧姆 @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 2.5pF @ 5V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- -
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC
- 功率 - 最大值 :
- 600mW
- 包装 :
- 管件
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- 0°C ~ 70°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 10V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- -
- 系列 :
- EPAD®
- 零件状态 :
- 在售