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- 数据列表
- SI1553DL-T1-GE3
产品详情
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- FET 类型 :
- N 和 P 沟道
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 600mV @ 250µA(最小)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 385 毫欧 @ 660mA,4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 1.2nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- SC-70-6(SOT-363)
- 功率 - 最大值 :
- 270mW
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 660mA,410mA
- 系列 :
- TrenchFET®
- 零件状态 :
- 停產
采购与价格
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