产品概览

产品型号
HGTG20N60B3D
现有数量
1,238
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 40A 165W TO247

文档与媒体

数据列表
HGTG20N60B3D

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
-
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2V @ 15V,20A
供应商器件封装 :
TO-247-3
功率 - 最大值 :
165W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
55ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-40°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
475µJ(开),1.05mJ(关)
栅极电荷 :
80nC
测试条件 :
-
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
40A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
160A
输入类型 :
标准
零件状态 :
不適用於新設計

采购与价格

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