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APTM100A13DG

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 个 N 通道（半桥）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

5V @ 6mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

156 毫欧 @ 32.5A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

15200pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

562nC @ 10V

供应商器件封装 :

SP6

功率 - 最大值 :

1250W

包装 :

散装

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

SP6

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

1000V（1kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

65A

系列 :

-

零件状态 :

在售