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APTMC120AM12CT3AG

FET 功能 :

碳化硅 （SiC）

FET 类型 :

2 N 沟道（相角）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.4V @ 30mA（标准）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

12 毫欧 @ 150A，20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

8400pF @ 1000V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

483nC @ 20V

供应商器件封装 :

SP3

功率 - 最大值 :

925W

包装 :

散装

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

SP3

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

220A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售