产品概览
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- 数据列表
- DF200R12PT4B6BOSA1
产品详情
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- NTC 热敏电阻 :
- 是
- 不同 Vce 时的输入电容(Cies) :
- 12.5nF @ 25V
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
- 2.1V @ 15V,200A
- 供应商器件封装 :
- 模块
- 功率 - 最大值 :
- 1100W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- 模块
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 1200V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15µA
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 300A
- 系列 :
- -
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 三相反相器
- 零件状态 :
- 在售
采购与价格
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