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- 数据列表
- MMBFJ202
产品详情
- FET 类型 :
- N 沟道
- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) :
- 800mV @ 10nA
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) :
- 900µA @ 20V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 350mW
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏极电流(Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压(Vdss) :
- -
- 电压 - 击穿(V(BR)GSS) :
- 40V
- 电阻 - RDS(开) :
- -
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
采购与价格
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