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APTC60AM83BC1G

FET 功能 :

超级结

FET 类型 :

3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

5V @ 3mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

83 毫欧 @ 24.5A、 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

7200pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

250nC @ 10V

供应商器件封装 :

SP1

功率 - 最大值 :

250W

包装 :

托盘

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

SP1

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

36A

系列 :

CoolMOS™

零件状态 :

停產