产品概览

产品型号
2N2609
现有数量
580
制造商
Microsemi Corporation
产品类别
晶体管 - JFET
产品描述
JFETS

文档与媒体

数据列表
2N2609

产品详情

FET 类型 :
P 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) :
750mV @ 1A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
10pF @ 5V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) :
2mA @ 5V
供应商器件封装 :
TO-18(TO-206AA)
功率 - 最大值 :
300mW
包装 :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-206AA,TO-18-3 金属罐
工作温度 :
-65°C ~ 200°C(TJ)
漏极电流(Id) - 最大值 :
10mA
漏源电压(Vdss) :
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS) :
30V
电阻 - RDS(开) :
-
系列 :
-
零件状态 :
在售

采购与价格

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