数据列表

STGB10M65DF2

25°C 时 Td（开/关）值 :

19ns/91ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） :

2V @ 15V，10A

供应商器件封装 :

D2PAK

功率 - 最大值 :

115W

包装 :

剪切带（CT）

反向恢复时间（trr） :

96ns

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

120µJ（开），270µJ（关）

栅极电荷 :

28nC

测试条件 :

400V，10A，22 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

20A

系列 :

-

脉冲电流 - 集电极 (Icm) :

40A

输入类型 :

标准

零件状态 :

在售