产品概览

产品型号
IKD15N60RFATMA1
现有数量
117
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

文档与媒体

数据列表
IKD15N60RFATMA1

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
13ns/160ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.5V @ 15V,15A
供应商器件封装 :
PG-TO252-3
功率 - 最大值 :
250W
包装 :
Reel®
反向恢复时间(trr) :
74ns
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
270µJ(开),250µJ(关)
栅极电荷 :
90nC
测试条件 :
400V,15A,15 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
30A
系列 :
TrenchStop®
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
45A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格