产品概览

产品型号
FGD3N60LSDTM
现有数量
580
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 6A 40W DPAK

文档与媒体

数据列表
FGD3N60LSDTM

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
40ns/600ns
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
1.5V @ 10V,3A
供应商器件封装 :
D-Pak
功率 - 最大值 :
40W
包装 :
带卷(TR)
反向恢复时间(trr) :
234ns
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-
开关能量 :
250µJ(开),1mJ(关)
栅极电荷 :
12.5nC
测试条件 :
480V,3A,470 欧姆,10V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
6A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
25A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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