产品概览

产品型号
IKD10N60R
现有数量
580
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 20A 150W TO252-3

文档与媒体

数据列表
IKD10N60R

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
14ns/192ns
IGBT 类型 :
沟道
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.1V @ 15V,10A
供应商器件封装 :
PG-TO252-3
功率 - 最大值 :
150W
包装 :
带卷(TR)
反向恢复时间(trr) :
62ns
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
590µJ
栅极电荷 :
64nC
测试条件 :
400V,10A,23 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
20A
系列 :
TrenchStop®
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
30A
输入类型 :
标准
零件状态 :
停產

采购与价格