产品概览
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- 数据列表
- MX2N4860
产品详情
- FET 类型 :
- N 沟道
- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) :
- 6V @ 500pA
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 18pF @ 10V
- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) :
- 100mA @ 15V
- 供应商器件封装 :
- TO-18(TO-206AA)
- 功率 - 最大值 :
- 360mW
- 包装 :
- 散装
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-206AA,TO-18-3 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 漏极电流(Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电压 - 击穿(V(BR)GSS) :
- 30V
- 电阻 - RDS(开) :
- 40 Ohms
- 系列 :
- 军用,MIL-PRF-19500/385
- 零件状态 :
- 在售