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J112

FET 类型 :

N 沟道

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） :

5V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

5pF @ 10V（VGS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） :

5mA @ 15V

供应商器件封装 :

TO-92

功率 - 最大值 :

350mW

包装 :

散装

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

工作温度 :

-65°C ~ 150°C（TJ）

漏极电流（Id） - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿（V（BR）GSS） :

35V

电阻 - RDS（开） :

50 Ohms

系列 :

-

零件状态 :

停產