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2N5115

FET 类型 :

P 沟道

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） :

3V @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

25pF @ 15V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） :

15mA @ 15V

供应商器件封装 :

TO-18

功率 - 最大值 :

500mW

包装 :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-206AA，TO-18-3 金属罐

工作温度 :

-65°C ~ 200°C（TJ）

漏极电流（Id） - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

30V

电压 - 击穿（V（BR）GSS） :

30V

电阻 - RDS（开） :

100 Ohms

系列 :

-

零件状态 :

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