数据列表

MJD32T4G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

1.2V @ 375mA，3A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

10 @ 3A，4V

供应商器件封装 :

DPAK

功率 - 最大值 :

1.56W

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

-65°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

40V

电流 - 集电极截止（最大值） :

50µA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

3A

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

3MHz