数据列表

SMMBT5551LT1G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

200mV @ 5mA，50mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

80 @ 10mA，5V

供应商器件封装 :

SOT-23-3（TO-236）

功率 - 最大值 :

225mW

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN

电压 - 集射极击穿（最大值） :

160V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

600mA

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

-