产品概览
- 产品型号
- NSV1C201MZ4T1G
- 现有数量
- 7,000
- 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
- 产品描述
- TRANS NPN 100V 2A SOT223-4
文档与媒体
- 数据列表
- NSV1C201MZ4T1G
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 180mV @ 200mA,2A
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 120 @ 500mA,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223(TO-261)
- 功率 - 最大值 :
- 800mW
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 2A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与价格
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