产品概览
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- 数据列表
- BULB49DT4
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 1.2V @ 800mA,4A
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 4 @ 7A,10V
- 供应商器件封装 :
- D2PAK
- 功率 - 最大值 :
- 80W
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 450V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100µA
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 5A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
- 频率 - 跃迁 :
- -