数据列表

NSV1C200LT1G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

250mV @ 200mA，2A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

120 @ 500mA，2V

供应商器件封装 :

SOT-23-3

功率 - 最大值 :

490mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

100V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

2A

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

120MHz