产品概览
- 产品型号
- NSS35200MR6T1G
- 现有数量
- 3,000
- 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
- 产品描述
- TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
文档与媒体
- 数据列表
- NSS35200MR6T1G
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 310mV @ 20mA,2A
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 100 @ 1.5A,1.5V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSOP
- 功率 - 最大值 :
- 625mW
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 35V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 2A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与价格
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