数据列表

SBCP68T1G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

500mV @ 100mA，1A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

85 @ 500mA，1V

供应商器件封装 :

SOT-223

功率 - 最大值 :

1.5W

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-261-4，TO-261AA

工作温度 :

-65°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN

电压 - 集射极击穿（最大值） :

20V

电流 - 集电极截止（最大值） :

10µA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

1A

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

60MHz