产品概览
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- 数据列表
- 2SB1321A0A
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 600mV @ 30mA,300mA
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 85 @ 10mA,10V
- 供应商器件封装 :
- MT-1-A1
- 功率 - 最大值 :
- 600mW
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 500mA
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 停產
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz