产品概览
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- 数据列表
- MJD31C1G
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 1.2V @ 375mA,3A
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 10 @ 3A,4V
- 供应商器件封装 :
- I-PAK
- 功率 - 最大值 :
- 1.56W
- 包装 :
- 管件
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 50µA
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 3A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
- 频率 - 跃迁 :
- 3MHz