数据列表

MPS6651G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

600mV @ 100mA，1A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

50 @ 500mA，1V

供应商器件封装 :

TO-92-3

功率 - 最大值 :

625mW

包装 :

散装

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

25V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

1A

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

100MHz